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相澤 一也
波紋, 12(4), p.218 - 222, 2002/10
コンベンショナルなピンホール型中性子小角散乱法よりも2桁小さいq領域が測定可能な完全結晶を用いた2結晶型中性子極小角法について原理と測定例を解説する。またパルス中性子源への適用も簡単に述べる。
相澤 一也; 富満 広; 玉置 英樹*; 吉成 明*
Journal of Applied Crystallography, 33(1), p.847 - 850, 2000/06
クリープ損傷を受けたNi基超合金の組織変化を、mスケールの構造が観察可能な中性子極小角散乱法を用いて調べたのでその結果を報告する。クリープ損傷を受けたNi基超合金の組織は母相である相と析出相である'相のラメラ構造の平均周期をパラメータとして良く記述できることを見いだした。また、平均周期のクリープ依存性は歪曲線と相関があることがわかった。
富満 広; 高橋 敏男*; 菊田 惺志*; 土井 健治
Journal of Non-Crystalline Solids, 88, p.388 - 394, 1986/00
被引用回数:7 パーセンタイル:59.79(Materials Science, Ceramics)JRR-2に設置した極小角中性子散乱装置を用いて金属ガラスFeBSiについての実験を行なった結果を報告する。試料は厚さ30mの箔である。常温で磁性を持っている。中性子極小角散乱の測定結果より次のことが明らかとなった。i)箔よりサンプルした試料は、サンプルした場所、また箔のロットの如何にかかわらず、半値巾0.2~0.3秒程度の、ガウス型プロフイルを持つ小角散乱を示す。これは、箔の表面に平行な方向に1.2~1.610A程度の慣性半径を持つ構造不均一性の存在を示す。ii)箔表面に平行にD80Gaussの磁場を約60時間印加することにより、慣性半径は磁場の方向に約15%増加する。
高橋 敏雄*; 富満 広; 牛神 義行*; 菊田 惺志*; 土井 健治; 星埜 禎男*
Physica B; Condensed Matter, 120, p.362 - 366, 1983/00
散乱角が動程度における中性子散乱強度を精密に測定する極小角中性子散乱測定装置を開発したので、これをPbO-SiO系のガラスに応用した結果を報告する。内容は次の通りである。1)石英ガラス(SiO)は極小角散乱を示さないが、これをJRR-2よりの熱中性子線により310/cm照射したものは、極小角散乱を示し、慣性半径310程度の大きさの構造不均一性が発生したことを示す。2)鉛ガラス(SiO-PbO)は、PbO濃度の60%程度までは極小角散乱を示さないが、70%にいたって慣性半径が10程度に相当する極小角散乱を示す。以上の結果の、ガラス構造に対するimploieationとともに、このような極小角領域における散乱実験技術上の問題点とその対応についても報告する。
土井 健治
Journal of Non-Crystalline Solids, 51, p.367 - 380, 1982/00
被引用回数:10 パーセンタイル:70.24(Materials Science, Ceramics)JRR-2よりの熱中性子により48Cで310/cmの照射を行なった石英ガラスの構造変化をX線広角散乱、X線小角散乱、X線極小角散乱を用いて研究した。照射により-O-Si-O-の原子結合より作られる網目構造の結合様式が変化し、5角形結合、7角形およびそれ以上の多巴形結合が生じ、同時に25、10程度の大きさの構造不均一性が生じていることを見出した。この構造変化を、金属ガラスについてのdense randum paoking模型のトポロジーとの関連において議論した。
C.K.Suzuki*; 土井 健治; 高良 和武*
Japanese Journal of Applied Physics, 20(4), p.L271 - L274, 1981/00
被引用回数:12 パーセンタイル:63.64(Physics, Applied)非晶質PdSiの20%冷間鍜造前後の構造変化をX線小角散乱(SAS),X線極小角散乱(VSAS)により研究した。加工前にSASは40の長さに相当する位置にゆるい極大を示し、VSAS領域で入射線束のひろがりが観測された。この後者は屈折によるものではなく、散乱に起因するものであることが示された。冷間加工後、SAS強度は減少し、VSASは消滅することが観測された。
高橋 敏男*; 富満 広; 牛神 義行*; 菊田 惺志*; 土井 健治
Japanese Journal of Applied Physics, 20(11), p.L837 - L839, 1981/00
被引用回数:6 パーセンタイル:44.1(Physics, Applied)原研JRR-2よりの熱中性子線により、48°2C、310/cmの照射を行なった石栄ガラスについて中性子極小角散乱を測定した。2枚の完全性の高いSi結晶板を平行におき1.9の熱中性子線の111と111のBragg反射が2枚の結晶板で同時におこるようにする。2回のBragg反射の後の中性子線束の角度巾は1.41秒であった。照射した石英ガラス板を2枚のSi結晶板の間に挿入すると角席巾は1.79秒にひろがった。これは照射によって石英ガラス内に回転半径が310程度の構造不均一性が生じたことを示す。未照射の石英ガラス板の挿入によっては中性子線束の角席巾の殆んど変わらない、照射によって作られる構造不均一性は光学顕微鏡によっても観察された。中性子線束のこのような微小な角席巾のひろがりは、極端に小さい角席領域における散乱であり、屈折によるものではないことが論証された。
C.K.Suzuki*; 土井 健治; 高良 和武*
Japanese Journal of Applied Physics, 19(4), p.205 - 206, 1980/00
被引用回数:1 パーセンタイル:21.04(Physics, Applied)未照射及び中性子照射石英ガラスのX線極小角散乱をBonse・Hart型のX線小角散乱装置を用いて、0.1秒程度の極小散乱角に至る範囲まで測定した。JRR-2よりの熱中性子線照射(310n/cm,48C)により半価巾0.7秒の極小角拡散乱が起ることを見出した。これは照射により石英ガラス中に510程度の大きさの不均質構造が生じたことを意味する。